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高通公布骁龙835,采用三星10nm工艺

姨夫的微笑 于 2016-11-17 23:30 发表在 [新闻资讯] [复制链接]

SD835-tl.jpeg

就在刚才,高通公布了全新的旗舰级移动芯片,骁龙835。

高通表示该芯片将在2017年初正式发布,已经确定的信息包括将采用三星10nm FinFET工艺打造,预计性能能够提升27%,功耗却降低40%。此外还支持Quick Charge 4.0快速充电技术,充电效率更高。

目前,骁龙835已经投入生产,预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。至于是不是PPT产品还要等等看啦,不过基本可以确定三星家的Galaxy S8肯定有使用该芯片的版本。


source:高通

共 6 个关于本帖的回复 最后回复于 2016-11-20 16:11

Ryuzaki 发表于 2016-11-18 00:10:23 移动版 | 显示全部楼层
公版架構還是自主架構的

点评

ONY 自家的Kryo架构。  详情 回复 发表于 2016-11-18 11:20
ONY 发表于 2016-11-18 11:20:44 | 显示全部楼层
Ryuzaki 发表于 2016-11-18 00:10
公版架構還是自主架構的

自家的Kryo架构。

点评

Ryuzaki 那不是會被三星抄襲到一些高通的製作技術  详情 回复 发表于 2016-11-19 23:47
latter21 发表于 2016-11-18 21:04:44 | 显示全部楼层
我日噢。。
举报 使用道具
Gratch 发表于 2016-11-19 16:13:04 | 显示全部楼层
TSMC那么好的工艺为何不用?
Ryuzaki 发表于 2016-11-19 23:47:07 移动版 | 显示全部楼层
ONY 发表于 2016-11-18 11:20
自家的Kryo架构。

那不是會被三星抄襲到一些高通的製作技術

点评

ONY 两种情况决定不好抄:第一是技术门槛,抄不了;第二种是技术专利,抄也可以,先交一大笔钱。  详情 回复 发表于 2016-11-20 16:11
ONY 发表于 2016-11-20 16:11:14 | 显示全部楼层
Ryuzaki 发表于 2016-11-19 23:47
那不是會被三星抄襲到一些高通的製作技術

两种情况决定不好抄:第一是技术门槛,抄不了;第二种是技术专利,抄也可以,先交一大笔钱。
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